通過(guò)實(shí)驗(yàn)TDK貼片電容確定有三個(gè)重要參數(shù)可幫助設(shè)計(jì)工程師確定最佳的ESD電容器值: (1)擊穿電壓、(2)電容量和(3)直流偏壓。

1.Vbd試驗(yàn)結(jié)果示例

Vbd（Voltage BreakDown，擊穿電壓）是用于量化電容器電壓等級(jí)強(qiáng)度的方法。以固定電壓斜率（即: 100v/s）將直流電壓印加到電容器，直到部件故障。這能確定電容器可承受的最大持續(xù)電壓，但不會(huì)直接指示最大ESD電壓等級(jí)。

2.DUT效應(yīng)是指在ESD試驗(yàn)電路中被測(cè)試的電容器上看到的有效電壓。

點(diǎn)分析顯示測(cè)定電壓（VX）與DUT （CX）之間的關(guān)系:

通過(guò)電源電壓（VO）和充電電容器（CO）保持不變，測(cè)定電壓（VX）和電容器電容器（CX）之間的關(guān)系成反比。這表示選擇的CX值越高，VX越小。
為說(shuō)明電容器效應(yīng)，以1000pF 電容器 （CX）的4kV （VO） ESD要求為例。同時(shí)還假定我們采用的是使用CO=150pF的AEC-Q200試驗(yàn)方法。DUT效應(yīng)關(guān)系顯示印加4kV時(shí)，CX只顯示521.7V （VX）。

3.給陶瓷電容器印加直流偏壓時(shí)、有效電容量可能與標(biāo)稱電容量不同。直流偏壓通常用針對(duì)標(biāo)稱值的電容量變化百分比表示。

直流偏壓大多是由于電介質(zhì)材料。當(dāng)然其它設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)因素也起一定作用。對(duì)于Class I電介質(zhì)（如：C0G）變化相對(duì)較小。對(duì)于Class II（如：X7R和X5R），您可能會(huì)看到剛開(kāi)始電容量略微增加，但隨即在您接近額定電容量時(shí)穩(wěn)定下降。通常對(duì)于Class II電介質(zhì)，直流偏壓介于-10%到-70%之間。
隨著施加電壓增加，有效電容量下降。直流偏壓是可重復(fù)的，只要您不超過(guò)額定電壓，對(duì)電容器性能或壽命都不會(huì)造成嚴(yán)重影響。